功能描述：20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET

制造商：texas instruments

系列：FemtoFET?

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.05V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：1.33nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：-20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：385pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：500mW（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：76 毫欧 @ 400mA，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：3-LGA（0.73x0.64）

封装/外壳：3-XFLGA

标准包装：1

CSD3080H

CSD3120H

CSD3150H

CSD3160H

CSD4080H

CSD43301Q5M

CSD58873Q3D

CSD75204W15

CSD75205W1015

CSD75207W15